Моя заявка (0)

BCW29,215, 100nA 32V 250mW 120@2mA,5V 100mA 100MHz 150mV@50mA,2.5mA PNP +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

BCW29,215, 100nA 32V 250mW 120@2mA,5V 100mA 100MHz 150mV@50mA,2.5mA PNP +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066806539
Артикул
BCW29,215
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.03
Длина
3 mm
Высота
1 mm
Ширина
1.4 mm
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Технические параметры

Вес, г0.03
Длина3 mm
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №933082731215
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)32 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.32 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.120 at 2 mA, 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация