BCV71,215, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 0,1А, 250мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8065996984
- Артикул
- BCV71,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Family
- Transistors-Bipolar(BJT)-Single
- Packaging
- Digi-Reel®
- Вес, г
- 0.02
- Длина
- 3 mm
Цена по запросу
(от 10,55 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Технические параметры
| Family | Transistors-Bipolar(BJT)-Single |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3 mm |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Manufacturer | NXP Semiconductors |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236) |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Standard Package | 1 |
| Power Dissipation | 250мВт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| DC Current Gain hFE Min | 110hFE |
| Supplier Device Package | SOT-23(TO-236AB) |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 2.5mA, 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| DC Усиление Тока hFE | 110hFE |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 933495330215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 110 at 2 mA, 5 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |