BCV61C,215 Dual NPN Transistor, 100 mA, 30 V, 4-Pin SOT-143B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010534448
- Артикул
- BCV61C,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 3 mm
- Package Type
- SOT-143B
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3 mm |
| Package Type | SOT-143B |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-143B |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 420 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Current Mirror |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-143-4 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | BCV61C T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 100 uA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |