BCV61B,215, Транзистор: NPN x2, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT143B

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024651419
- Артикул
- BCV61B,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- Вес, г
- 0.02
Цена по запросу
(от 34,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3 mm |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Applications | Current Mirror |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) Current Mirror |
| Voltage - Rated | 30V |
| Структура | npn |
| Base Product Number | BCV61 -> |
| Current Rating (Amps) | 100mA |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Supplier Device Package | SOT-143B |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-143-4 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | BCV61B T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 250мВт |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 100 at 100 uA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |