BCV61 NPN Transistor, 100 mA, 30 V, 3-Pin SOT-143B
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014596175
- Артикул
- BCV61
- Бренд
- Nexperia B.V.
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- Width
- 1.4 mm
- Height
- 1 mm
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 3 mm |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3 mm |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-143B |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-143-4 |
| Part # Aliases | BCV61 T/R |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Minimum DC Current Gain | 110 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-143-4 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | BCV61 T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 30 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |