BCV49,115 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 4-Pin UPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8966456664
- Артикул
- BCV49,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.2
- Длина
- 4.6мм
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 44,14 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BCV49,115 от NEXPERIA представляет собой высококачественный компонент для монтажа SMD с типом NPN Дарлингтона, обладающий напряжением коллектор-эмиттер 60 В и мощностью 1 Вт. Имеет компактный корпус SOT89, что делает его идеальным выбором для использования в различных электронных устройствах. Транзистор BCV49115 отлично подходит для усиления и коммутации сигналов в широкой области применения, обеспечивая надежную и долговечную работу. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж SMD Напряжение коллектор-эмиттер, В 60 Мощность, Вт 1 Корпус SOT89
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.2 |
| Длина | 4.6мм |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 1.6мм |
| Корпус | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.6мм |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-89-3 |
| Product Type: | Darlington Transistors |
| Configuration: | Single |
| Размеры | 4.6 x 2.6 x 1.6мм |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934003660135 |
| Product Category: | Darlington Transistors |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Тип корпуса | UPAK |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Gain Bandwidth Product fT: | 220 MHz |
| Производитель | Nexperia |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 10 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 4 |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 2000 at 500 mA, 5 V |
| кол-во в упаковке | 1000 |
| Maximum Collector Cut-off Current: | 100 nA |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 65 V |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 10 V |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V |
| Максимальный запирающий ток коллектора | 0.0001mA |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 500 мА |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,5 В |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 2000 |