Моя заявка (0)

BCV49.115, транзитор Дарлингтона 100мА 60В NPN 1.3Вт SOT-89-3

BCV49.115, транзитор Дарлингтона 100мА 60В NPN 1.3Вт SOT-89-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048036557
Артикул
BCV49.115
Бренд
NXP Semiconductor
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.2
Длина
4.6мм
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 45 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор NPN 60V 0.5A SOT89; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br)ceo: 60 В; Частота переxода ft: 220 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 1,3 Вт; Ток коллектора постоянного тока: 500 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:10000hFE; Транзистор

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.2
Длина4.6мм
Subcategory:Transistors
Высота1.6мм
Корпусto243
Ширина2.6мм
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-89-3
Product Type:Darlington Transistors
Configuration:Single
Размеры4.6 x 2.6 x 1.6мм
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934003660135
Product Category:Darlington Transistors
Структураnpn
Transistor PolarityNPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Transistor Polarity:NPN
Тип корпусаUPAK
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Factory Pack Quantity:4000
Pd - Power Dissipation:1.3 W
Transistor ConfigurationОдинарный
Gain Bandwidth Product fT:220 MHz
ПроизводительNexperia
Emitter- Base Voltage VEBO:10 V
Collector- Base Voltage VCBO:80 V
Maximum DC Collector Current:500 mA
Тип транзистораNPN
Число контактов4
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:2000 at 500 mA, 5 V
кол-во в упаковке1000
Maximum Collector Cut-off Current:100 nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:65 V
Количество элементов на ИС1
Диапазон рабочих температур, оС-65…150
Минимальная рабочая температура-65 °C
Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальное напряжение эмиттер-база10 V
Максимальное напряжение коллектор-база80 V
Максимальный запирающий ток коллектора0.0001mA
Максимальный непрерывный ток коллектора500 мА
Статический коэффициент передачи тока hfe мин2000
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)60 В
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер1,5 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер1 В
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току2000

Техническая документация