Моя заявка (0)

BCV 27 E6327, 4000@5V,500mA 30V NPN 500mA 360mW SOT-23 DarlIngton TransIstors

BCV 27 E6327, 4000@5V,500mA 30V NPN 500mA 360mW SOT-23 DarlIngton TransIstors

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025031126
Артикул
BCV 27 E6327
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
SOT23
PPAP
Unknown
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 120 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный BCV27E6327 производства INFINEON - это высококачественный компонент для современной электроники. Модель выполнена в удобном для монтажа SMD-корпусе типа SOT23, обеспечивающем лёгкость интеграции в печатные платы. Транзистор типа NPN Дарлингтон характеризуется током коллектора 0,5 А и напряжением коллектор-эмиттер 30 В, что делает его подходящим для широкого спектра применений, требующих усиления сигнала. Код товара BCV27E6327 используется для идентификации и облегчения поиска в каталогах, а его надёжность и стабильность работы подтверждена многолетним опытом компании INFINEON в производстве электронных компонентов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN, Дарлингтон Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.5 Напряжение коллектор-эмиттер, В 30 Корпус SOT23

Технические параметры

CaseSOT23
PPAPUnknown
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
Frequency170MHz
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.02
PCB changed3
Part StatusLTB
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Polarisationbipolar
КорпусSOT-23(TO-236)
ConfigurationSingle
Supplier PackageSOT-23
Collector current0.5A
Power dissipation0.36W
Kind of transistorDarlington
Type of transistorNPN
Структураnpn
Standard Package NameSOT
Collector-emitter voltage30V
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)360
Maximum Emitter Base Voltage (V)10
Maximum Collector Base Voltage (V)40
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Operating Junction Temperature (°C)150
Typical Current Gain Bandwidth (MHz)170
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)30
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)0.1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1.5 0.1mA 100mA
Maximum Continuous DC Collector Current (A)0.5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)1 0.1mA 100mA

Техническая документация