Моя заявка (0)

BCR505E6327, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,5А, 0,33Вт, SOT23, R2: 10кОм

BCR505E6327, Транзистор: NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,5А, 0,33Вт, SOT23, R2: 10кОм

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048230567
Артикул
BCR505E6327
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Case
SOT23
Brand:
Infineon Technologies
Series:
BCR505
Mounting
SMD
Цена по запросу
(от 26,31 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.33 Вт, 100 МГц, 2.2 кОм+10 кОм

Технические параметры

CaseSOT23
Brand:Infineon Technologies
Series:BCR505
MountingSMD
Frequency100MHz
Вес, г0.05
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Polarisationbipolar
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23
Base resistor2.2kΩ
Manufacturer:Infineon
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Part # Aliases:SP000010841 BCR55E6327XT BCR505E6327HTSA1
Collector current0.5A
Power dissipation0.33W
Product Category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
Kind of transistorBRT
Type of transistorNPN
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Base-emitter resistor10kΩ
Typical Input Resistor:2.2 kOhms
Typical Resistor Ratio:0.22
Collector-emitter voltage50V
Peak DC Collector Current:500 mA
Continuous Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:70
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5

Техническая документация