Моя заявка (0)

BCR198E6327HTSA1, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23

BCR198E6327HTSA1, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8063772873
Артикул
BCR198E6327HTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.05
Корпус
SOT-23(TO-236)
Структура
pnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
100 mA
Цена по запросу
(от 70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный BCR198E6327 от производителя INFINEON является высококачественным полупроводниковым компонентом, предназначенным для монтажа на поверхность (SMD). С PNP конфигурацией и мощностью 0,2 Вт, данный транзистор способен управлять током коллектора до 0,1 А при напряжении коллектор-эмиттер до 50 В. Компактный корпус SOT23 обеспечивает лёгкую интеграцию в различные электронные схемы. Идеален для использования в усилительных и переключающих устройствах. Эффективность и надёжность BCR198E6327 делают его предпочтительным выбором для разработчиков. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 50 Мощность, Вт 0.2 Корпус SOT23

Технические параметры

Вес, г0.05
КорпусSOT-23(TO-236)
Структураpnp
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц190