Моя заявка (0)

BCR133SH6327XTSA1,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm

BCR133SH6327XTSA1,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014259934
Артикул
BCR133SH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
PPAP
Unknown
RoHS
Details
Type
NPN
Brand
Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 130 МГц, 10 кОм+10 кОм

Технические параметры

PPAPUnknown
RoHSDetails
TypeNPN
BrandInfineon Technologies
SeriesBCR133
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.004
PCB changed6
Part StatusLTB
Unit Weight0.000265 oz
ManufacturerInfineon
КорпусSOT363
МонтажSMD
Base resistor10кОм
ConfigurationDual
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-363-6
Part # Aliases133S BCR BCR133SH6327XT H6327 SP000755050
Частота130МГц
Product CategoryBipolar Transistors-Pre-Biased
Supplier PackageSOT-363
Мощность250мВт
Структураnpn
Полярностьбиполярный
Base-emitter resistor10кОм
Factory Pack Quantity18000
Standard Package NameSOT
Typical Resistor Ratio1
Minimum DC Current Gain30@5mA@5V
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Ток коллектора100мА
Typical Input Resistor (kOhm)10
Тип транзистораNPN x2
Maximum Power Dissipation (mW)250
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Typical Current Gain Bandwidth (MHz)130
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)100
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.3@0.5mA@10mA
Напряжение коллектор-эмиттер50В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA

Техническая документация