BCR133SH6327, Транзистор: NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 0,25Вт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002567245
- Артикул
- BCR133SH6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- Unknown
- RoHS
- Details
- Type
- NPN
- Brand
- Infineon Technologies
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный BCR133SH6327 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для современных электронных устройств. Монтаж этого элемента осуществляется методом SMD, что обеспечивает простоту интеграции в печатные платы. С максимальным током коллектора в 0,1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 50 В, этот транзистор способен обеспечить стабильную и надежную работу ваших схем. Рассеиваемая мощность устройства составляет 0,25 Вт, что является достаточным для многих низковольтных применений. Вид транзистора NPN делает его идеальным для использования в качестве усилителя сигнала или переключателя. Компактный корпус SOT363 помогает экономить ценное место на плате. Приобретая BCR133SH6327, вы получаете надежный компонент от известного производителя. Код товара BCR133SH6327 обеспечит безупречную работу ваших электронных проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 50 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT363
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| RoHS | Details |
| Type | NPN |
| Brand | Infineon Technologies |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series | BCR133 |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | BCR133 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.04 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | LTB |
| Unit Weight | 0.000265 oz |
| Manufacturer | Infineon |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-363 |
| Монтаж | SMD |
| Base resistor | 10кОм |
| Configuration | Dual |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 |
| Part # Aliases | 133S BCR BCR133SH6327XT H6327 SP000755050 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Частота | 130МГц |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363 |
| Part # Aliases: | SP000755050 BCR133SH6327XT BCR133SH6327XTSA1 |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Supplier Package | SOT-363 |
| Мощность | 250мВт |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Полярность | биполярный |
| Base-emitter resistor | 10кОм |
| Factory Pack Quantity | 18000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 30@5mA@5V |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 50 V |
| Ток коллектора | 100мА |
| Continuous Collector Current: | 100 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 10 |
| Тип транзистора | NPN x2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Typical Current Gain Bandwidth (MHz) | 130 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@0.5mA@10mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 50В |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |