Биполярный транзистор Pre-Biased BCR108E6327HTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062671126
- Артикул
- BCR108E6327HTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- I(C)
- 0.1 A
- RoHS
- Details
- Type
- NPN
- Brand
- Infineon Technologies
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 мА, 50 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР (Также известный как BCR108)
Технические параметры
| I(C) | 0.1 A |
| RoHS | Details |
| Type | NPN |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 1.3 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| P(tot) | 0.2 W |
| Series | BCR108 |
| V(CBO) | 50 V |
| V(CEO) | 50 V |
| Package | SOT23 |
| Version | NPN |
| Assembly | SMD |
| Mounting | Surface Mount |
| Enclosure | SOT-23 |
| Packaging | Reel |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 0.05 |
| Lead Finish | Tin |
| Min DC gain | 70 mA |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Current gain | 70 |
| Manufacturer | Infineon |
| Polarisation | NPN |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Rated current | 100 mA |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | BCR108E6433HTMA1 BCR108E6433XT SP000010737 |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Collector current | 100 mA |
| Power dissipation | 0.2 W |
| Saturation voltage | 300 mV |
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Transistor Polarity | NPN |
| Factory Pack Quantity | 40000 |
| Operating Temperature | -65 to 150 °C |
| Pd - Power Dissipation | 200 mW |
| Typical Input Resistor | 2.2 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 0.047 |
| Minimum DC Current Gain | 70@5mA@5V V |
| Transit frequency fTmin | 170 MHz |
| Peak DC Collector Current | 100 mA |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 50 V |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| Continuous Collector Current | 100 mA |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 70 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.3@0.5mA@10mA V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 50 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.2 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 170 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |