BCP69T1G, Транзистор: PNP, биполярный, 20В, 1А, 1,5Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017529568
- Артикул
- BCP69T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.75
- Tab
- Tab
- Type
- PNP
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 48,96 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 20В, 1А, 1,5Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Tab | Tab |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.16 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Корпус | TO-261aa |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 3.5 |
| Package Height | 1.57 |
| Package Length | 6.5 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Power Dissipation | 1.5Вт |
| Структура | pnp |
| Standard Package Name | SOT-223 |
| DC Current Gain hFE Min | 50hFE |
| Minimum DC Current Gain | 85@500mA@1V|50@5mA@10V|60@1A@1V |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Operating Frequency | 60 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Collector Current | 1А |
| Maximum DC Collector Current | -1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 20В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 25 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| DC Усиление Тока hFE | 50hFE |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -20 V |
| Линейка Продукции | - |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 25 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 60(Typ) |
| Частота Перехода ft | 60МГц |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 20 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 10000 |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@100mA@1A |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.5 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 85 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 25 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 25 |