BCP56TF,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 1.3 W, SC-73, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003620786
- Артикул
- BCP56TF
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SC73, SOT223
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Series
- Automotive, AEC-Q101 ->
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Bipolar Discretes AEC-Q101
Технические параметры
| Case | SC73, SOT223 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Mounting | SMD |
| Frequency | 155MHz |
| Вес, г | 0.01 |
| Power - Max | 1.8W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Current gain | 63…250 |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | bipolar |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | NPN |
| Collector current | 1A |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | BCP56 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 80V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Другие названия товара № | 934070117135 |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 155 MHz |