BCP56TA, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001029773
- Артикул
- BCP56TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- Case
- SOT223
- PPAP
- No
- Type
- NPN
Цена по запросу
(от 18 ₽)
Минимальный заказ: 1200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000 МВт 4-контактный(3+вкладки) SOT-223 T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| Case | SOT223 |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Frequency | 150MHz |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Серия | BCP56 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Current gain | 25…250 |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Polarisation | bipolar |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Kind of package | reel, tape |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Collector current | 1A |
| Power dissipation | 2W |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 25 5mA 2V|40 150mA 2V|25 500mA 2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 80V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5 50mA 500mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |