Моя заявка (0)
BCP56T3G, Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006251561
Артикул
BCP56T3G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3+Tab
Вес, г
0.11
Длина
6.5 mm
Серия
BCP56
Цена по запросу
(от 56,47 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 1A 100V NPN

Технические параметры

Pin Count3+Tab
Вес, г0.11
Длина6.5 mm
СерияBCP56
Package TypeSOT-223(SC-73)
Высота1.57 mm
Ширина3.5 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Power Dissipation1.5Вт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min25hFE
Minimum DC Current Gain40
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation1.5 W
Maximum Operating Frequency35 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-223-4
Continuous Collector Current1А
Maximum DC Collector Current1 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Collector Emitter Voltage Max80В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage100 V
DC Усиление Тока hFE25hFE
Maximum Collector Emitter Voltage80 V
Частота Перехода ft130МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1.5 W
Размер фабричной упаковки4000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)130 MHz

Техническая документация