BCP56T3G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000123211
- Артикул
- BCP56T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3+Tab
- Вес, г
- 0.154
- Длина
- 6.5 mm
- Серия
- BCP56
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1A 100V NPN
Технические параметры
| Pin Count | 3+Tab |
| Вес, г | 0.154 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | BCP56 |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.57 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Power Dissipation | 1.5Вт |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
| Minimum DC Current Gain | 40 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Maximum Operating Frequency | 35 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Continuous Collector Current | 1А |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Частота Перехода ft | 130МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |