BCP5616TC, Транзистор: NPN; биполярный
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070123666
- Артикул
- BCP5616TC
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 48,09 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000 МВт 4-контактный(3+вкладки) SOT-223 T/R
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.14 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | npn |
| Minimum DC Current Gain | 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |