BCP5616TA, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001006376
- Артикул
- BCP5616TA
- Бренд
- DIODES INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 21 ₽)
Минимальный заказ: 2000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| Серия | BCP56 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Width | 3.5 |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Package Height | 1.55 |
| Package Length | 6.5 |
| Transistor Type | NPN |
| Base Part Number | BCP56 |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Minimum DC Current Gain | 100@150mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V|25@5mA@2V |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA(ICBO) |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 150 mA at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA at 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |