BCP5616QTC, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 1А; 2Вт; SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021354386
- Артикул
- BCP5616QTC
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.1
- Корпус
- SOT-223
- Power Dissipation
- 2Вт
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы SOT-223 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Корпус | SOT-223 |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 25hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Continuous Collector Current | 1А |
| Collector Emitter Voltage Max | 80В |
| DC Усиление Тока hFE | 25hFE |
| Линейка Продукции | BCP56 Series |
| Частота Перехода ft | 150МГц |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 150 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA, 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |