BCP5616QTA, 80V 2W 100@150mA,2V 1A NPN SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8020312587
- Артикул
- BCP5616QTA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.14
- Корпус
- SOT-223
- Transistor Type
- NPN
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
| Корпус | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |