BCP5616MTWG, Bipolar Transistors - BJT 80V 1A NPN WDFNW3 2X2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046294899
- Артикул
- BCP5616MTWG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- NPN
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 88,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500 МВт 3-контактный WDFNW EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | NPN |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Package Width | 2 mm |
| Package Length | 2 mm |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | WDFNW EP |
| Структура | npn |
| Standard Package Name | DFN |
| Minimum DC Current Gain | 63@5mA@2V|100@150mA@2V|40@500mA@2V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| Maximum Base-Emitter Voltage (V) | 6 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Collector-Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V) | 2@50mA@500mA |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |