BCP5616H6327XTSA1, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002192123
- Артикул
- BCP5616H6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- I(C)
- 1 A
- P(tot)
- 1.5 W
- V(CBO)
- 100 V
- V(CEO)
- 80 V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный BCP5616H6327XTSA1 от производителя INFINEON является высококачественным полупроводниковым компонентом для современной электроники. С монтажом SMD и в корпусе SOT223, этот NPN транзистор отличается током коллектора в 1 А и напряжением коллектор-эмиттер до 80 В, обеспечивая мощность до 2 Вт. Идеально подходит для различных электронных схем, где требуется надежный и долговечный компонент. Код товара BCP5616H6327XTSA1 используется для удобства идентификации и заказа, искать его необходимо как BCP5616H6327XTSA1. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 80 Мощность, Вт 2 Корпус SOT223
Технические параметры
| I(C) | 1 A |
| P(tot) | 1.5 W |
| V(CBO) | 100 V |
| V(CEO) | 80 V |
| Package | SOT223 |
| Packaging | REEL |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Current gain | 160 |
| Polarisation | NPN |
| Корпус | SOT-223 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | BCP 56-16 H6327 SP000748370 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |