Моя заявка (0)

BCP5610TA, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223

BCP5610TA, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8067377121
Артикул
BCP5610TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.16
Длина
6.7 mm
Серия
BCP56
Высота
1.65 mm
Цена по запросу
(от 59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

Технические параметры

Вес, г0.16
Длина6.7 mm
СерияBCP56
Высота1.65 mm
Ширина3.7 mm
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.63
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63 at 150 mA, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)125 MHz

Техническая документация