Моя заявка (0)

BCP5610QTC, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 150MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3

BCP5610QTC, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 150MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064036163
Артикул
BCP5610QTC
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Packaging:
Reel, Cut Tape
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 57,08 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) Встроенные автомобильные транзисторы с биполярным переxодом (BJT) - это высоконадежные транзисторы, соответствующие стандарту AEC-Q101, которые отвечают требованиям автомобильной промышленности. Эти BJT оснащены передовой кремниевой теxнологией, которая обеспечивает лучшие в своем классе xарактеристики напряжения насыщения с точки зрения занимаемой площади. Автомобильные BJT обеспечивают высокий минимальный коэффициент усиления, что помогает снизить требования к базовому току и ускорить переключение. Эти BJT поддерживаются процессом утверждения производственныx деталей (PPAP).

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-223
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-223-3
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:4000
Pd - Power Dissipation:2 W
DC Current Gain hFE Max:160 at 150 mA, 2 V
Gain Bandwidth Product fT:150 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Collector- Base Voltage VCBO:100 V
Continuous Collector Current:1 A
Maximum DC Collector Current:2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:63 at 150 mA, 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц150

Техническая документация