BCP56-16TX, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1А, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003671250
- Артикул
- BCP56-16TX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- Brand
- Nexperia
- HTSUS
- 8541.29.0075
- Series
- Automotive, AEC-Q101 ->
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BCP56-16T/SC-73/REEL 7" Q1/T1
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Brand | Nexperia |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.15 |
| Power - Max | 1.35W |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Base Product Number | BCP56 -> |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 155 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Continuous Collector Current | 1 A |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 155 MHz |