BCP56-16T3G, Транзистор биполярный стандартный SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017543032
- Артикул
- BCP56-16T3G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- HTS
- 8541.29.00.75
- Tab
- Tab
- Type
- NPN
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 1A 100V NPN
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.75 |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.19 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | BCP56 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Высота | 1.57 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Package Width | 3.5 |
| Package Height | 1.57 |
| Package Length | 6.5 |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 100@150mA@2V|25@5mA@2V|25@500mA@2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1500 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 130(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Operating Junction Temperature (°C) | -65 to 150 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |