BCP56,115, Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1А, 640мВт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017284615
- Артикул
- BCP56,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Вид
- NPN
- Тип
- биполярный
Цена по запросу
(от 8,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1А, 640мВт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Вид | NPN |
| Тип | биполярный |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.85 |
| Длина | 6.7 mm |
| Power - Max | 960mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1.7 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | BCP56 -> |
| Transistor Polarity | NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Minimum DC Current Gain | 63 |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 960 mW |
| Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 960 mW |
| Другие названия товара № | BCP56 T/R |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 at 5 mA at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |