Моя заявка (0)

BCP56-10T1G,Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount

BCP56-10T1G,Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072709043
Артикул
BCP56-10T1G
Бренд
ON Semiconductor***
MSL
MSL 1-Unlimited
Вид
NPN
Тип
биполярный
Category
Bipolar Power
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

T; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: 80 В; Частота переxода ft: 130 МГц; Рассеиваемая мощность Pd: 1,5 Вт; Ток коллектора постоянного тока: 1A; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 63hFE; Tr

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
ВидNPN
Типбиполярный
CategoryBipolar Power
MountingSurface Mount
Frequency130(MHz)
PackagingTape and Reel
Pin Count3+Tab
Вес, г1
Длина6.5 mm
СерияBCP56
No. of Pins4Pins
Output PowerNot Required(W)
Package TypeSOT-223
Rad HardenedNo
Высота1.57 mm
Ширина3.5 mm
Product RangeBCP56 Series
QualificationAEC-Q101
DC Current Gain25
Power Dissipation1.5W
Number of Elements1
Структураnpn
Transistor MountingSurface Mount
Transistor PolarityNPN
Emitter-Base Voltage5(V)
Operating Temp Range-65C to 150C
Transition Frequency130MHz
Transistor Case StyleSOT-223
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (DC)1(A)
Collector-Base Voltage100(V)
DC Current Gain hFE Min63hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-Emitter Voltage80(V)
Operating Temperature Max150°C
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-223-4
Continuous Collector Current1A
Collector Emitter Voltage Max80V
кол-во в упаковке1000
DC Усиление Тока hFE63hFE
Линейка ПродукцииBCxxx
Частота Перехода ft130МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Temperature ClassificationMilitary
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1.5 W
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)130 MHz

Техническая документация