Моя заявка (0)

BCP55TA,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount

BCP55TA,Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046335507
Артикул
BCP55TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.001
Серия
BCP55
Корпус
SOT-223
Структура
npn
Цена по запросу
(от 89 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

Технические параметры

Вес, г0.001
СерияBCP55
КорпусSOT-223
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация