Моя заявка (0)

BCP55TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

BCP55TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005444038
Артикул
BCP55TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.11
Серия
BCP55
Корпус
SOT-223
Технология
Si
Цена по запросу
(от 79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

Вес, г0.11
СерияBCP55
КорпусSOT-223
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация