Моя заявка (0)

BCP5516TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223

BCP5516TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017538224
Артикул
BCP5516TA
Бренд
DIODES INC.
Case
SOT223
Mounting
SMD
Frequency
150MHz
Вес, г
0.04
Цена по запросу
(от 92 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

CaseSOT223
MountingSMD
Frequency150MHz
Вес, г0.04
Серия:BCP55
Current gain100…250
ManufacturerDIODES INCORPORATED
Polarisationbipolar
КорпусSOT-223
Kind of packagereel, tape
Collector current1A
Power dissipation2W
Type of transistorNPN
Структураnpn
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
Тип продукта:BJTs-Bipolar Transistors
Collector-emitter voltage60V
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
Производитель:Diodes Incorporated
Торговая марка:Diodes Incorporated
Упаковка / блок:SOT-223-4
Категория продукта:Биполярные транзисторы-BJT
Полярность транзистора:NPN
Pd - рассеивание мощности:2 W
Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO):60 V
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная рабочая температура:+150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт2
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 V
Максимальный постоянный ток коллектора:1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:500 mV
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:1000
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):150 MHz

Техническая документация