Моя заявка (0)
BCP55, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024652765
Артикул
BCP55
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3+Tab
Вес, г
1
Длина
6.5 mm
Серия
BCP55
Цена по запросу
(от 75,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT SOT-223 NPN GP AMP

Технические параметры

Pin Count3+Tab
Вес, г1
Длина6.5 mm
СерияBCP55
Package TypeSOT-223(SC-73)
Высота1.6 mm
Ширина3.56 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain40
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation1.5 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блокSOT-223-4
Maximum DC Collector Current1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V
Maximum Collector Emitter Voltage60 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности1.5 W
Другие названия товара №BCP55_NL
Размер фабричной упаковки4000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация