Моя заявка (0)

BCP5416TA, Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BCP5416TA, Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001011911
Артикул
BCP5416TA
Бренд
DIODES INC.
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
ECCN
EAR99
Type
NPN
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
ECCNEAR99
TypeNPN
HTSUS8541.29.0075
EU RoHSCompliant
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Вес, г0.16
Длина6.7 mm
СерияBCP54
PCB changed3
Part StatusActive
Power - Max2W
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1.65 mm
КорпусSOT-223
Ширина3.7 mm
ConfigurationSingle Dual Collector
Mounting TypeSurface Mount
Package Width3.5
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Package Height1.55
Package Length6.5
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageSOT-223
Power Dissipation2Вт
Структураnpn
Base Product NumberBCP5416 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition150MHz
DC Current Gain hFE Min100hFE
Minimum DC Current Gain25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V
Supplier Device PackageSOT-223
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Continuous Collector Current1А
Collector Emitter Voltage Max45В
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
DC Усиление Тока hFE100hFE
Maximum DC Collector Current (A)1
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Линейка ПродукцииBCP54
Maximum Collector Base Voltage (V)45
Maximum Transition Frequency (MHz)150(Min)
Частота Перехода ft150МГц
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 2V
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.5@50mA@500mA
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)45 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация