Моя заявка (0)

BCP53TA, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223

BCP53TA, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002507189
Артикул
BCP53TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.16
Серия
BCP53
Корпус
SOT-223
Структура
pnp
Цена по запросу
(от 36,76 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

Вес, г0.16
СерияBCP53
КорпусSOT-223
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт2
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz

Техническая документация