BCP5316TA, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8054064510
- Артикул
- BCP5316TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Brand
- Diodes Incorporated
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | BCP53 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.7 mm (Max) |
| Серия | BCP53 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Высота | 1.65 mm (Max) |
| Ширина | 3.7 mm (Max) |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Power |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Standard Package Name | SOT |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| DC Current Gain HFE Max | 250 at-150 mA, -2 V |
| Minimum DC Current Gain | 25 5mA 2V|40 150mA 2V|25 500mA 2V|100 150mA 2V |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 125 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -100 V |
| Continuous Collector Current | -1 A |
| Maximum DC Collector Current | -1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 25 at-5 mA, -2 V |
| Maximum Collector Base Voltage | -100 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -80 V |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5 50mA 500mA |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at - 150 mA at - 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at - 5 mA at - 2 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |