BCP53-16TX PNP Transistor, -1 A, -80 V, 3-Pin SOT-223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014479733
- Артикул
- BCP53-16TX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Pin Count
- 3
- Technology
- Si
Цена по запросу
(от 28,38 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BCP53-16T/SC-73/REEL 7" Q1/T1
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 1.35 W |
| DC Current Gain HFE Max | 250 |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product FT | 145 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 1.35 W |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 145 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Collector- Base Voltage VCBO | -100 V |
| Continuous Collector Current | -1 A |
| Maximum DC Collector Current | -1 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 100 |
| Maximum Collector Base Voltage | -100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -80 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.35 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |