Моя заявка (0)

BCP53-10T1G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1,5А, 1,5Вт, SOT223

BCP53-10T1G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1,5А, 1,5Вт, SOT223

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017536052
Артикул
BCP53-10T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вид
PNP
Тип
биполярный
Вес, г
0.12
Длина
6.5 mm
Цена по запросу
(от 63,49 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 1.5A 100V PNP

Технические параметры

ВидPNP
Типбиполярный
Вес, г0.12
Длина6.5 mm
СерияBCP53
Высота1.57 mm
КорпусSOT223
МонтажSMD
Ширина3.5 mm
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Мощность, Вт1.5
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокSOT-223-4
Ток коллектора, А1.5
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1.5 W
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1.5 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)100 V
Напряжение коллектор-эмиттер, В80
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1.5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.80 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В80
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)50 MHz

Техническая документация