BCP53-10T1G, Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 1,5А, 1,5Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008510795
- Артикул
- BCP53-10T1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вид
- PNP
- Тип
- биполярный
- Вес, г
- 0.12
- Длина
- 6.5 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BCP53-10T1G от производителя ONSEMI представляет собой высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) с PNP структурой. Данный элемент обладает максимальным током коллектора 1,5 А и напряжением коллектор-эмиттер до 80 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных схем. Мощность транзистора составляет 1,5 Вт, что обеспечивает его надежную работу в различных устройствах. Корпус SOT223 гарантирует удобство монтажа на печатные платы. Транзистор BCP5310T1G является отличным выбором для разработчиков электроники, стремящихся к миниатюризации и повышению эффективности своих изделий. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 1.5 Напряжение коллектор-эмиттер, В 80 Мощность, Вт 1.5 Корпус SOT223
Технические параметры
| Вид | PNP |
| Тип | биполярный |
| Вес, г | 0.12 |
| Длина | 6.5 mm |
| Серия | BCP53 |
| Высота | 1.57 mm |
| Корпус | SOT223 |
| Монтаж | SMD |
| Ширина | 3.5 mm |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Мощность, Вт | 1.5 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ток коллектора, А | 1.5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 80 |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.5 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |