BCP52TA, Транзистор PNP, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021377468
- Артикул
- BCP52TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.19
- Длина
- 6.7 mm
- Серия
- BCP52
- Высота
- 1.65 mm
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Технические параметры
| Вес, г | 0.19 |
| Длина | 6.7 mm |
| Серия | BCP52 |
| Высота | 1.65 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | pnp |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 125MHz |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 40@150mA, 2V |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 500mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 40 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 m |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |