Моя заявка (0)

BCP51TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

BCP51TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004841585
Артикул
BCP51TA
Бренд
DIODES INC.
Case
SOT223
Mounting
SMD
Frequency
150MHz
Вес, г
0.11
Цена по запросу
(от 70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

Технические параметры

CaseSOT223
MountingSMD
Frequency150MHz
Вес, г0.11
Длина6.7 mm (Max)
СерияBCP51
Current gain25…250
ManufacturerDIODES INCORPORATED
Polarisationbipolar
Высота1.65 mm (Max)
КорпусSOT-223
Ширина3.7 mm (Max)
Kind of packagereel, tape
Collector current1A
Power dissipation2W
Type of transistorPNP
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage45V
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-223-4
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)45 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.40
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25 at 5 mA at 2 V, 40 at 150 mA at 2 V, 25 at 500
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)125 MHz

Техническая документация