Моя заявка (0)

BCP5116TA,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount

BCP5116TA,Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 45 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012541874
Артикул
BCP5116TA
Бренд
DIODES INC.
Tab
Tab
I(C)
1 A
PPAP
No
Type
PNP
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP

Технические параметры

TabTab
I(C)1 A
PPAPNo
TypePNP
Brand:Diodes Incorporated
P(tot)2 W
V(CBO)45 V
V(CEO)45 V
EU RoHSCompliant
PackageSOT223
Series:BCP51
MaterialSi
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.001
PCB changed3
Part StatusActive
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:Si
Current gain160
PolarisationPNP
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-223
ConfigurationSingle Dual Collector
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-4
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageSOT-223
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V
Pd - Power Dissipation:2 W
DC Current Gain hFE Max:250
Gain Bandwidth Product fT:150 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:5 V
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO:45 V
Maximum DC Collector Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)2000
Minimum Operating Temperature:-65 C
Maximum DC Collector Current (A)1
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Base Voltage (V)45
Maximum Transition Frequency (MHz)150(Min)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)45
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.5@50mA@500mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)1

Техническая документация