BCP51,115, Bipolar Transistors - BJT BCP51/SOT223/SC-73

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004639729
- Артикул
- BCP51,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.85
- Длина
- 6.7 mm
- Package Type
- SOT-223(SC-73)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный BCP51,115 от производителя NEXPERIA — высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD). С PNP типом проводимости и корпусом SOT223, этот транзистор обеспечивает максимальный ток коллектора 1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 45 В. Номинальная мощность устройства составляет 0,65 Вт. Изделие отличается стабильностью работы и надежностью в широком спектре электронных применений. Используя BCP51115 в своих проектах, вы получаете гарантию качества от известного бренда и уверенность в эффективности вашей электронной аппаратуры. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 45 Мощность, Вт 0.65 Корпус SOT223
Технические параметры
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.85 |
| Длина | 6.7 mm |
| Package Type | SOT-223(SC-73) |
| Высота | 1.7 mm |
| Корпус | SOT-223 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 1W |
| Minimum DC Current Gain | 63 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Maximum Operating Frequency | 145 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 45 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Другие названия товара № | BCP51 T/R |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 at 5 mA at 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |