BCM857DS,135, 15nA 45V 380mW 290@2mA,5V 100mA 175MHz 200mV@100mA,5mA 2PCSPNP +150°C@(Tj) - BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072351590
- Артикул
- BCM857DS,135
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 3.1 mm
- Power - Max
- 380mW
Цена по запросу
(от 29,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS MATCHED PAIR
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 3.1 mm |
| Power - Max | 380mW |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Package / Case | SC-74, SOT-457 |
| Transistor Type | 2 PNP(Dual)Matched Pair |
| Структура | pnp |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 175MHz |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-457-6 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA(ICBO) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Другие названия товара № | /T3 BCM857DS |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA at 5 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 175 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |