Моя заявка (0)

BCM857DS,135, 15nA 45V 380mW 290@2mA,5V 100mA 175MHz 200mV@100mA,5mA 2PCSPNP +150°C@(Tj) - BIpolar TransIstors - BJT

BCM857DS,135, 15nA 45V 380mW 290@2mA,5V 100mA 175MHz 200mV@100mA,5mA 2PCSPNP +150°C@(Tj) - BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072351590
Артикул
BCM857DS,135
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Вес, г
0.01
Длина
3.1 mm
Power - Max
380mW
Цена по запросу
(от 29,99 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS MATCHED PAIR

Технические параметры

GradeAutomotive
Вес, г0.01
Длина3.1 mm
Power - Max380mW
Высота1 mm
Ширина1.7 mm
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q100
Package / CaseSC-74, SOT-457
Transistor Type2 PNP(Dual)Matched Pair
Структураpnp
Operating Temperature150°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition175MHz
Supplier Device Package6-TSOP
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-457-6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)15nA(ICBO)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности380 mW
Другие названия товара №/T3 BCM857DS
Размер фабричной упаковки10000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.200 at 2 mA at 5 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц175
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 2 mA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)175 MHz

Техническая документация