Моя заявка (0)
BCM857DS,115, Транзистор: PNP x2

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070107082
Артикул
BCM857DS,115
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
6
Вес, г
0.03
Длина
3.1 mm
Package Type
SOT-457(SC-74)
Цена по запросу
(от 44,29 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS MATCHED PAIR TAPE-7

Технические параметры

Pin Count6
Вес, г0.03
Длина3.1 mm
Package TypeSOT-457(SC-74)
Высота1 mm
Ширина1.7 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain200
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationIsolated
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation380 mW
Number of Elements per Chip2
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-457-6
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage-5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage-50 V
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности380 mW
Другие названия товара №BCM857DS T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)50 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.200 at 2 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 2 mA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)175 MHz

Техническая документация