BCM857DS,115, Bipolar Transistors - BJT SOT457 45V .1A PNP/PNP BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025433198
- Артикул
- BCM857DS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 3.1 mm
- Package Type
- SOT-457(SC-74)
Цена по запросу
(от 20,21 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP x2
Технические параметры
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3.1 mm |
| Package Type | SOT-457(SC-74) |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | sot-457/sc-74 |
| Ширина | 1.7 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP |
| Структура | 2 x pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 380 mW |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-457-6 |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 380 mW |
| Другие названия товара № | BCM857DS T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.38 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 200…450 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA at 5 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 175 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |