BCM857BS,115
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009975920
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вид
- PNP
- Тип
- биполярный
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 2.2мм
Цена по запросу
(от 29,33 ₽)
Минимальный заказ: 12 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А
Технические параметры
| Вид | PNP |
| Тип | биполярный |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.2мм |
| Высота | 1мм |
| Корпус | SOT-363 |
| Монтаж | SMD |
| Ширина | 1.35мм |
| Размеры | 1 x 2.2 x 1.35мм |
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип корпуса | UMT |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Мощность, Вт | 0.3 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Производитель | Nexperia |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TSSOP-6 |
| Тип транзистора | PNP |
| Число контактов | 6 |
| Ток коллектора, А | 0.1 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | 934058729115 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальная рабочая частота | 175 МГц |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 50 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 45 В |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,92 В |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA, 5 V |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,4 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA, 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |