Моя заявка (0)

BCM856SH6327XTSA1, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101

BCM856SH6327XTSA1, Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001294182
Артикул
BCM856SH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
I(C)
0.1 A
P(tot)
0.25 W
V(CBO)
80 V
V(CEO)
65 V
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двойной PNP-транзистор Infineon BCM856SH6327XTSA1, 100 мА, 65 В, 6-контактный SOT-363

Технические параметры

I(C)0.1 A
P(tot)0.25 W
V(CBO)80 V
V(CEO)65 V
PackageSOT363
MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveYes
Вес, г1
RoHS StatusRoHS-conform
Current gain250
Package TypeSOT-363(SC-88)
PolarisationPNP/PNP
КорпусSOT-363
ConfigurationDual
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypePNP
Supplier PackageSOT-363
Структураpnp
AEC Qualified NumberAEC-Q101
Standard Package NameSOT-26
Minimum DC Current Gain200
Transistor ConfigurationIsolated
Maximum Power Dissipation250 mW
Maximum Operating Frequency250 MHz
Number of Elements per Chip2
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage5 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Operating Temperature - (??C)-65~150
Maximum Collector Base Voltage80 V
Maximum Power Dissipation - (mW)250
Maximum Collector Emitter Voltage65 V
Maximum DC Collector Current - (A)0.1
Maximum Emitter Base Voltage - (V)5
Maximum Collector Base Voltage - (V)80
Maximum Transition Frequency - (MHz)250(Typ)
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V)65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Техническая документация