BCM856SH6327, Транзистор: PNP x2, биполярный, 65В, 0,1А, 0,25Вт, SOT363
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002567310
- Артикул
- BCM856SH6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- BCM856
- Корпус
- SOT-363
- Структура
- pnp
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BCM856SH6327 от производителя INFINEON представляет собой высококачественный компонент для монтажа типа SMD. С типом PNP и корпусом SOT363, этот транзистор способен выдерживать ток коллектора до 0,1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 65 В, обладая при этом мощностью 0,25 Вт. Превосходный выбор для разработки электронных схем, где требуются компактные и надежные компоненты. Код товара BCM856SH6327 подчеркивает его уникальность и облегчает поиск в каталоге. В области применения такие транзисторы находят широкое применение от бытовой электроники до промышленных устройств, благодаря своей эффективности и долговечности. Товар BCM856SH6327 представляет собой идеальное решение для специалистов, стремящихся к оптимизации своих проектов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.1 Напряжение коллектор-эмиттер, В 65 Мощность, Вт 0.25 Корпус SOT363
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | BCM856 |
| Корпус | SOT-363 |
| Структура | pnp |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | BCM856SH6327XT BCM856SH6327XTSA1 SP000747592 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 250 MHz |